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No Patent No Titel
1 DE102006024495A1 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung, Halbleiteranordnung und deren Verwendung
2 DE102006017487A1 Integriertes Beschaltungsbauelement auf Halbleiterbasis zur Schaltentlastung, Spannungsbegrenzung bzw. Schwingungsdämpfung
3 DE102007007096A1 Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
4 DE102005050484A1 Monolithisch integrierbare Schaltungsanordnung
5 DE102005050324A1 Gleichrichter
6 DE69931890T2 Integrierter Leistungsschaltkreis mit vertikalem Stromfluss und dessen Herstellungsverfahren
7 DE69930365T2 Halbleitervorrichtung mit Substrat vom BiCMOS Typ und Rauschentkopplung
8 DE69736102T2 Integrierter Halbleiterschaltkreis mit einem Thermistor zur Temperaturkompensation und dessen Herstellungsverfahren
9 DE102004060365A1 Bauelement mit Halbleiterübergang und Verfahren zur Herstellung
10 DE69926002T2 Herstellungsverfahren für eine Diode zur Integration mit einem Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren für ein Transistor-Bauelement mit einer integrierten Diode
11 DE102005050392A1 Halbleitervorrichtung
12 DE102004046174A1 Integrierter BiCMOS-Halbleiterschaltkreis
13 DE102004029520A1 Transistor-Anordnung
14 DE102004026108A1 Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
15 DE102004021391A1 Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung sowie Verfahren zu deren Herstellung
16 DE69728937T2 Monolithische Halbleiteranordnung zur Verbindung eines Hochspannungsbauteils und logischer Bauteile
17 DE69532315T2 Halbleitervorrichtung zur Speisung, Rückleitung und Entmagnetisierung einer induktiven Last
18 DE69728259T2 SILICIUMKARBID-CMOS UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
19 DE69530216T2 Monolithische Halbleiteranordnung mit Randstruktur und Verfahren zur Herstellung
20 DE69620149T2 Halbleiteranordnung
21 DE69621517T2 Integrierte monolithische Mikrowellenschaltung und Verfahren
22 DE69708804T2 Monolithisch integrierter Mikrowellen-Schaltkreis mit Sperrschicht-Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit und Heteroübergang-Bipolartransistor und Herstellungsverfahren
23 DE69617213T2 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils auf Siliziumsubstrat mit Bipolartransistoren und MOS-Transistoren
24 DE69617849T2 Halbleiter-Kondensator und Verfahren zu seiner Herstellung
25 DE69800272T2 Bauelementanordnung mit magnetfeldgesteuertem Transistor
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