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No Patent No Titel
1 DE102006030264A1 Transistor mit einem Kanal mit biaxialer Verformung, die durch Silizium/Germanium in der Gateelektrode hervorgerufen wird
2 DE69837242T2 Komplementäres MOS-Halbleiterbauelement
3 DE112005002998T5 Transistoranordnung und Verfahren zur Herstellung derselben
4 DE102006015077A1 Technik zur Bereitstellung von Verspannungsquellen in Transistoren in unmittelbarer Nähe zu einem Kanalgebiet durch Vertiefen von Drain- und Source-Gebieten
5 DE102007005328A1 CMOS-Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren
6 DE102005052054A1 Technik zur Bereitstellung mehrerer Quellen für mechanische Spannungen in NMOS- und PMOS-Transistoren
7 DE102005042868A1 Feldeffektleistungsbauteil mit integraler CMOS-Struktur und Verfahren zur Herstellung desselben
8 DE112005000335T5 Veritkaler und gemeinsamer Drain für komplementäre Nitridtransistoren
9 DE102006029235A1 Piezoelektrischer Stress-Liner für Masse und SOI
10 DE112005000353T5 Komplementäre Lateral-Nitrid-Trasistoren
11 DE102005027369A1 Integrierter Schaltkreis und Verfahren zur Herstellung eines integrierten Schaltkreises
12 DE102005036543A1 Halbleitervorrichtung
13 DE69733388T2 Halbleiteranordnung mit einer Schaltung zur Verhinderung von Latch-up
14 DE102005014619A1 Integriertes Schaltkreisbauelement mit Gatestruktur und zugehöriges Herstellungsverfahren
15 DE102005024417A1 CMOS-Transistor mit doppeltem High-k-Gatedielektrikum sowie zugehöriges Herstellungsverfahren
16 DE69433949T2 Verfahren zur Herstellung von MOSFETS mit verbesserten Kurz-Kanal Effekten
17 DE102004036898A1 Integrierte Halbleiterschaltung und Reverse-Engineering-Schutzverfahren
18 DE102004001502A1 Halbleitervorrichtung
19 DE69532907T2 Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
20 DE69432918T2 Verfahren zum Herstellen eines CMOS-Bauteil mit Hoch- und Niedrigspannungstransistoren
21 DE69904690T2 Tiefe Ausnehmung in einer Flachgraben-Isolation für einen PFET mit einem vergrabenen Kanal
22 DE69622292T2 Halbleiteranordnung
23 DE69525188T2 Hoch- und Niederspannungs-CMOS-Bauteil und Herstellungsverfahren
24 DE69708147T2 NNN/PPP LOGISCHE ANORDNUNGEN MIT ULTRANIEDRIGEM LEISTUNGS-VERZÖGERUNGSPRODUKT
25 DE69523526T2 Komplementäres Halbleiterbauelement mit Heteroübergang
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