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1 DE102006028954A1 Speichereinrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Speichereinrichtung
2 DE102006019940B3 Speicherzellenfeld von nicht-flüchtigen Halbleiterspeicherzellen mit Minoritätsträgersenke
3 DE102006024121A1 Nichtflüchtige Speicherzelle einer in einem Halbleiterplättchen integrierten Schaltung, Verfahren zu deren Herstellung und Verwendung einer nichtflüchtigen Speicherzelle
4 DE102006023439A1 Halbleiterspeicherbauelement und Herstellungsverfahren für das Halbleiterspeicherbauelement
5 DE102007017963A1 Speicherzellenstruktur, nicht-flüchtiges Speicherbauelement und System sowie Verfahren zum Herstellen und Betreiben derselben
6 DE112004003021T5 Halbleiterspeicher und Verfahren zu dessen Herstellung
7 DE102006018235B3 Halbleiterspeicherbauelement mit vertikal angeordneten Speicherzellen und Herstellungsverfahren
8 DE102006017795A1 Halbleiterpeicherbauelement und Herstellungsverfahren
9 DE102006017282A1 Halbleiterspeicherbauelement und Betriebsverfahren für Halbleiterspeicherbauelement
10 DE102006018234A1 Charge-trapping-Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Charge-trapping-Bauelementes
11 DE102006062381A1 EEPROM und Verfahren zum Betreiben und Herstellen desselben
12 DE102006054967A1 Nichtflüchtiges Speicherbauelement
13 DE102006062403A1 Integriertes Schaltkreisbauelement sowie Herstellungs- und Betriebsverfahren
14 DE102006054969A1 Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben
15 DE102006017525A1 Speichervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Speichervorrichtung
16 DE102006039897A1 Nicht-flüchtige Speicher mit L-förmigen Schwebe-Gate-Elektroden und Verfahren zum Herstellen derselben
17 DE102006041546A1 Nicht-flüchtiges Speicher-Bauteil vom Aufgespaltenes-Gate-Typ und Verfahren zu seiner Herstellung
18 DE102006040584A1 Halbleiterprodukt und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterprodukts
19 DE112005001008T5 Verfahren und Vorrichtung zum Wortleitungsschutz in Flash-Speichereinrichtungen
20 DE102006034263A1 Nichtflüchtige Speicherzelle und Herstellungsverfahren
21 DE102006007714A1 Nichtflüchtiges Speicherbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben
22 DE102006005679A1 Halbleiterbauelement mit einer Transistorstruktur und Verfahren zur Herstellung desselben
23 DE112004001244T5 Flashspeicherzelle mit einem Transistor
24 DE112004000380T5 Ladungsträgereinfangspeicherarrays mit Immunität gegenüber Schäden aus der Kontaktlochherstellung
25 DE112004000248T5 UV-Abblockschicht zum Reduzieren der UV-Induzierten Aufladung von SONOS-Doppelbit-Flash-Speicher-Einrichtungen in der Beol-Bearbeitung
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