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1 DE102006027504A1 Randabschlussstruktur von MOS-Leistungstransistoren hoher Spannungen
2 DE102006056139A1 Halbleitervorrichtung mit einem verbesserten Aufbau für eine hohe Spannungsfestigkeit
3 DE102006025135A1 Halbleiterbauelement mit einer mehrere Abschnitte aufweisenden Passivierungsschicht
4 DE102006034678B3 Leistungshalbleiterbauelement mit Ladungskompensationsstruktur und Verfahren zur Herstellung desselben
5 DE102006002065B4 Kompensationsbauelement mit reduziertem und einstellbarem Einschaltwiderstand
6 DE102006023598B3 Halbleiterbauteil
7 DE102005058435B4 Halbleiterbauelement mit einem Channelstopper und Verfahren zur Erzeugung eines Channelstoppers
8 DE102006014580A1 Randabschluss für vertikales Hochvolt-Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung für einen IGBT
9 DE102006013077A1 Leistungshalbleiterbauelement mit Sekundärpassivierungsschicht und zugehöriges Herstellungsverfahren
10 DE102006012447A1 Halbleiterkörper mit einer Transistorstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Transistorstruktur
11 DE102006011567A1 Randabschlussstruktur für Halbleiterbauelemente mit Driftstrecke
12 DE102006004405A1 Leistungshalbleiterbauelement mit einer Driftstrecke und einer hochdielektrischen Kompensationszone und Verfahren zur Herstellung einer Kompensationszone
13 DE102006006700A1 Halbleiterbauelement insbesondere Leistungshalbleiterbauelement mit Ladungsträgerrekombinationszonen und Verfahren zur Herstellung desselben
14 DE102007005347A1 Halbleitervorrichtung
15 DE102007004616A1 Halbleitervorrichtung mit Super-Junction-Struktur und Verfahren zur Herstellung derselben
16 DE102006002065A1 Kompensationsbauelement mit reduziertem und einstellbarem Einschaltwiderstand
17 DE102005061210A1 Halbleiterbauelement mit einem vorderseitigen und einem rückseitigen PN-Übergang
18 DE102005058435A1 Halbleiterbauelement mit einem Channelstopper und Verfahren zur Erzeugung eines Channelstoppers
19 DE102006001922B3 Lateraler Leistungstransistor und Verfahren zu dessen Herstellung
20 DE102005052733B3 Vertikales Halbleiterbauelement
21 DE102005048447A1 Halbleiterleistungsbauelement mit Ladungskompensationsstruktur und Verfahren zur Herstellung desselben
22 DE102006004627B3 Leistungshalbleiterbauelement mit Ladungskompensationsstruktur und Verfahren zur Herstellung desselben
23 DE102006019950A1 Halbleitervorrichtung mit dielektrischer Trennung und Herstellungsverfahren derselben
24 DE102006002439A1 Halbleitervorrichtung
25 DE112004000395T5 Halbleiterwafer mit nichtrechteckig geformten Chips
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