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No Patent No Titel
1 EP1831930 HALBLEITERBAUELEMENT MIT SUPERPARAELEKTRISCHEM GATE-ISOLATOR
2 DE60215571T2 MFOS-Speicher-Transistor und diesbezügliches Herstellungsverfahren
3 EP1794802 VERFAHREN ZUR BILDUNG EINER LÖSUNGSVERARBEITETEN EINRICHTUNG
4 DE60118817T2 Integrierte Schaltung mit einem dielektrischen Schichtverbund und Verfahren
5 EP1739754 Halbleiterbauelement und dessen Herstellungsverfahren
6 EP1700345 GATE-ISOLATIONSFILM MIT SILIZIUM UND SAUERSTOFF
7 DE69929500T2 Ferroelektrischer nichtflüchtiger Transistor und dessen Herstellungsverfahren
8 EP1654767 ÜBERGANGSMETALLEGIERUNGEN ZUR VERWENDUNG ALS GATEELEKTRODE UND DIESE LEGIERUNGEN ENTHALTENDE BAUELEMENTE
9 EP1635398 Halbleiterbauelementen mit einer dielektrischen Zwischenschicht und Verfahren dafür
10 EP1620898 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS MIT EINER METALLISCHEN GATE-ELEKTRODE
11 EP1605517 Isolierende Sperrschicht
12 EP1604405 EINE METHODE ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERANORDNUNG MIT EINEM GATE-DIELEKTRIKUM MIT HOHEM K
13 DE69828834T2 Ferroelektrische Speicherzelle und deren Herstellungsverfahren
14 EP1548839 Halbleiterbauelement und Verfahren zu deren Herstellung, Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Films mit hoher Dielektrizitätskonstante
15 DE69823450T2 Vorrichtung mit einer Oxidschicht auf GaN und Verfahren zur Herstellung
16 EP1480274 Nichtflüchtige Speicheranordnung mit einer ein OHA-Dielektrikum beinhaltenden Gatterstapelung und deren Herstellungsverfahren
17 EP1410442 ELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EIN ELEKTRONISCHES BAUELEMENT
18 EP1374311 DIELEKTRISCHE SCHICHT MIT HOHER DIELEKTRIZITÄTSKONSTANTE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
19 EP1338039 VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG EINES TUNNELKONTAKTES SOWIE VORRICHTUNG UMFASSEND MITTEL ZUR ERZEUGUNG EINES TUNNELKONTAKTES
20 EP1328977 HERSTELLUNG EINES GATTER-OXIDS AUF EINEM HALBLEITERSUBSTRAT
21 EP1324393 Verfahren zur Herstellung einer nichtflüchtigen Speicherzelle und entsprechende Speicherzelle
22 EP1302987 Vertikaler MOSFET mit Graben-Gate und mit Cäsium enthaltender Oxidschicht und diesbezügliches Herstellungsverfahren
23 DE69800026T2 GaAs-basierender MOSFET und Verfahren zur Herstellung
24 DE69028507T2 Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung mit einer isolierenden Schicht für Tunneleffekt
25 DE69117796T2 Feldeffekttransistorstruktur mit einem schwebenden Gate und Verfahren zu ihrer Herstellung
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