PatentDe  


No Patent No Titel
1 DE102006011240A1 Bipolartransistor und Verfahren zum Herstellen eines Bipolartransistors
2 DE102005046738A1 Bipolartransistor
3 DE102006003102A1 Halbleiterbauelement, Bipolartransistor und Herstellungsverfahren
4 DE102004038699A1 Kaskode, Kaskodenschaltung und Verfahren zur vertikalen Integration von zwei Bipolartransistoren zu einer Kaskodenanordnung
5 DE69821105T2 BIPOLAR MOS-LEISTUNGSTRANSISTOR OHNE LATCH-UP
6 DE69623265T2 EMITTERBALLAST UEBERBRUECKUNG FÜR RADIOFREQUENZ-LEISTUNGSTRANSISTOREN
7 DE69528280T2 BALLASTKONTROLLE FÜR RADIOFREQUENZ-LEISTUNGSTRANSISTOREN
8 DE69622270T2 SILIZIUM AUF ISOLATOR-BIPOLARTRANSISTOR MIT ERHÖHTER DURCHBRUCHSPANNUNG
9 DE69430881T2 SOI-Halbleitervorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung
10 DE69710615T2 GLEICHMÄSSIGER BALLASTWIDERSTAND FÜR EINEN THERMISCH AUSGEGLICHENEN RADIOFREQUENZ-LEISTUNGSTRANSISTOR
11 DE69429127T2 Heteroübergang-Bipolartransistor
12 DE69330420T2 Verfahren zum Betrieb eines ballistischen Heteroübergang-Transistors
13 DE69615512T2 Verfahren zur Herstellung eines Bipolar-Transistors
14 DE69033711T2 Verfahren zur Herstellung eines bipolaren Transistors
15 DE69425686T2 Verfahren zur Verwendung eines Heteroübergang-Bipolartransistors
16 DE69231310T2 Heteroübergang-Bipolartransistor mit Emitter aus gradiertem Bandabstand-Monokristall
17 DE69231202T2 Monolitische Halbleiteranordnung mit vertikaler Struktur die einen Leistungstransistor enthält mit tiefer Base und Finger-Emitter mit Ballastwiderstand
18 DE69512101T2 Leistungs-Bipolartransistor
19 DE69324003T2 Bipolar-Leistungstransistor mit hoher Kollektor-Durchbrucksspannung und Verfahren zu seiner Herstellung
20 DE69413860T2 Transistoren und Verfahren zur Herstellung
21 DE69322226T2 Integriertes Dünnschichtverfahren zur Erlangung von hohen Ballastwerten für Überlagerungsstrukturen
22 DE69108631T2 Tunnelinjektions-Halbleiterbauelement und dessen Herstellungsverfahren.
23 DE68922212T2 HALBLEITERANORDNUNG, DIE EINE INTEGRIERTE SCHALTUNG MIT EINEM VERTIKALEN TRANSISTOR ENTHÄLT.
24 DE69109890T2 Lateraler Heterogrenzflächen-Bipolartransistor.
25 DE69016840T2 Verfahren zur Herstellung eines lateralen Bipolartransistors.
1

IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

Anmelder
Datum

Patentrecherche

Copyright © 2008 Patent-De Alle Rechte vorbehalten. eMail: info@patent-de.com