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No Patent No Titel
1 DE102006029750A1 Trenchtransistor
2 DE102006027382A1 MOS Transistor mit modularem Layout
3 DE102007027519A1 Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
4 DE102006026943A1 Mittels Feldeffekt steuerbarer Trench-Transistor mit zwei Steuerelektroden
5 DE102006025218A1 Leistungshalbleiterbauelement mit Ladungskompensationsstruktur und Verfahren zur Herstellung desselben
6 DE102007017833A1 Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
7 DE102007011247A1 Halbleiteranordnungen und Verfahren zur Herstellung derselben
8 DE102007010095A1 Halbleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren
9 DE202004021352U1 Leistungshalbleitervorrichtungen
10 DE112004000872T5 Anordnung und Verfahren zum Ausbilden eines Trench-MOSFETs mit Selbstausrichtungsmerkmalen
11 DE102007007261A1 Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen derselben
12 DE102006061172A1 Metall-Oxid-Halbleiter-Transistor mit geringer Breite
13 DE102007005558A1 Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben
14 DE102007003583A1 Transistor, Speicherzelle und Verfahren zum Herstellen eines Transistors
15 DE102007001134A1 Halbleiterbauelement mit einem Gate und Verfahren zur Herstellung desselben
16 DE102006061170A1 Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
17 DE102007001643A1 Halbleitervorrichtung
18 DE202007001431U1 Halbleiteranordnung und Leistungshalbleiterbauelement
19 DE102006053145A1 Halbleitervorrichtung mit Trennungsbereich
20 DE102006055334A1 Feldeffekttransistor und Verfahren zu dessen Herstellung
21 DE102006051285A1 MOS-Transistor mit einem Driftbereich und Verfahren zur Herstellung desselben
22 DE112005000441T5 Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung desselben
23 DE112004002310T5 Trench-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransisstor mit geschlossenen Zellen
24 DE112004001163T5 Halbleiteranordnung eines vertikalen Typs
25 DE202004011369U1 Halbleitereinrichtung mit vertikaler Ladungssteuerung und niedriger Ausgangskapazität
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