No Patent No Titel 3901 EP1509953 LICHTQUELLEN MIT EINER KONTINUIERLICHEN BREITEMISSIONSWELLENLÄNGE UND DAFÜR NÜTZLICHE LEUCHTSTOFFZUSAMMENSETZUNGEN 3902 DE10340711A1 Elektronische Vorrichtung enthaltend organische Halbleiter 3903 DE69823450T2 Vorrichtung mit einer Oxidschicht auf GaN und Verfahren zur Herstellung 3904 DE102004041346A1 Halbleiter und Verfahren zur Herstellung desselben 3905 DE102004042373A1 Geschichtetes piezoelektrisches Element und dessen Herstellungsverfahren 3906 DE10340938A1 Sensoranordnung 3907 DE69915971T2 Verfahren zur Herstellung von IGBT-Gateelektroden 3908 DE69728648T2 HALBLEITERVORRICHTUNG MIT HOCHFREQUENZ-BIPOLAR-TRANSISTOR AUF EINEM ISOLIERENDEN SUBSTRAT 3909 EP1506579 CMOS BAUELEMENT MIT EINER SCHOTTKY-BARRIERE UND VERFAHREN 3910 DE102004027663A1 Maskenlose Array-Schutz-Prozessabfolge zur Bildung von Durchgangsverbindungen in magnetischen Zufallszugriffsspeichern 3911 DE102004039660A1 Halbleitervorrichtung mit einem Kondensator, der eine verbesserte strukturelle Stabilität und erhöhte Kapazität besitzt, und Verfahren zur Herstellung der Halbleitervorrichtung 3912 DE10339319A1 Edelgasgefülltes Sensorelement für optische Sensoren 3913 DE69915584T2 Photovoltaisches Modul und Energieerzeugungssystem 3914 DE102004039059A1 Vorrichtung und Verfahren zum Reinigen von Halbleitersubsstraten 3915 DE69433828T2 Halbleiteranordnung mit einem lateralen Bipolartransistor, welcher SiGe enthält, und Verfahren zu deren Herstellung 3916 DE10336128A1 Verfahren zur Herstellung eines wärmesensitiven Elements 3917 DE10336747A1 Halbleiterbauelementanordnung mit einer Nanopartikel aufweisenden Isolationsschicht 3918 DE102004038340A1 Verfahren zum Unterteilen eines plattenartigen Werkstücks 3919 DE10301244B4 Verfahren zum Dotieren von Halbleiterkörpern 3920 DE102004037186A1 Verfahren zur Verbesserung elektrischer Eigenschaften aktiver Bipolarbauelemente 3921 DE19861248B4 Verfahren zum Beschichten einer Oberfläche eines Wafers 3922 DE69532794T2 Verfahren zur Herstellung eines organischen Dünnfilmtransistors und nach diesem Verfahren hergestellter Artikel 3923 DE102004038339A1 Waferbearbeitungsverfahren 3924 DE69433738T2 Halbleiterelement und Verfahren zur Herstellung desselben 3925 DE102004041831A1 Integriertes Schaltkreisbauelement mit I/O-ESD-Schutzzelle 3926 DE69827212T2 Harzversiegelte Halbleiteranordnung und deren Herstellungsverfahren 3927 DE102004025108A1 Antifuse und Verfahren zum Ausbilden einer Antifuse 3928 EP1502303 HOCHSPANNUNGSSCHALTBAUELEMENTE UND PROZESS ZU IHRER HERSTELUNG 3929 DE69826798T2 Verfahren zur Herstellung einer Kühlungsdurchlass-enthaltenden Wärmesenke 3930 DE102004017411A1 In-situ-Metallbarriereablagerung für Sputterätzen auf einer Verbindungsstruktur 3931 DE69826975T2 THERMOELEKTRISCHES ELEMENT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR 3932 EP1502304 ESD-ROBUSTER LEISTUNGSSCHALTER UND DESSEN VERWENDUNG 3933 DE19530577B4 Gehäuse für mikroelektronische Bauelemente und Verfahren zu seiner Herstellung 3934 EP1502309 INTEGRIERTE SCHALTUNG MIT INTERNER IMPEDANZANPASSUNGSSCHALTUNG 3935 DE202004012665U1 Leuchtdiodenanordnung auf Basis einer Galliumnitrid-Halbleiterverbindung 3936 EP1503411 In Isolationsgebiete eingebettete Leiterbahnen 3937 DE10333669A1 Photodetektor und Verfahren zu seiner Herstellung 3938 DE10334826A1 Organische Elektrolumineszenzvorrichtung mit Baugruppenfunktionalität 3939 DE20320446U1 Aufspannvorrichtung zum Modulieren von Formen und Substraten 3940 DE10335099A1 Verfahren zum Verbessern der Dickengleichförmigkeit von Siliziumnitridschichten für mehrere Halbleiterscheiben 3941 EP1500147 MODULARE THERMOELEKTRISCHE KOPPLUNG UND STAPELUNG 3942 DE102004029507A1 Kunststoffgehäuse und Halbleiterbaustein mit Verwendung eines Kunststoffgehäuses 3943 DE10335461A1 Siliziumnitrid-Hartmaske 3944 DE102004037085A1 Drahtlose Halbleiterpackung und Herstellungsverfahren zum fertigen einer solchen drahtlosen Halbleiterpackung 3945 DE102004024924A1 Verfahren zum Herstellen polykristallinen Siliciums sowie Schaltbauteil unter Verwendung polykristallinen Siliciums 3946 DE19645568B4 Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement 3947 DE10335100A1 Technik zur Herstellung verkürzter Seitenabstandselemente für eine Polysiliziumleitung 3948 DE102004036747A1 Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer photoempfindlichen Polyimidschicht und einer entsprechend des Verfahrens hergestellten Vorrichtung 3949 DE102004034822A1 MRAM und Verfahren zu dessen Herstellung 3950 DE102004012030A1 Integrierter optischer Detektor und optisches Beugungselement 3951 DE69827058T2 Verbindungshalbleiter-Interfacestruktur und deren Herstellungsverfahren 3952 DE102004036898A1 Integrierte Halbleiterschaltung und Reverse-Engineering-Schutzverfahren 3953 EP1500146 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON DÜNNFILMHALBLEITERN AUF DER BASIS VON I-III-VI-SB-2-/SB-VERBINDUNGEN FÜR PHOTOVOLTAISCHE ANWENDUNGEN 3954 DE10335727A1 Transparente Elektrode für elektro-optische Aufbauten 3955 DE10332009A1 Halbleiterbauelement mit elektromagnetischer Abschirmvorrichtung 3956 DE102004032184A1 Laserstrahlbearbeitungsverfahren und Laserstrahlbearbeitungsmaschine bzw. -Vorrichtung 3957 DE102004032910A1 Verfahren zur Bildung dicker Oxide auf Si oder SiC für Halbleiterbauteile 3958 DE10334352A1 Solargenerator zur Entfaltung in zwei Raumrichtungen 3959 DE102004026000A1 DRAM-Zellenfeld und Halbleiterspeichereinrichtung mit vertikalen Speicherzellen und Verfahren zur Herstellung eines DRAM-Zellenfeldes und eines DRAMs 3960 DE10330571A1 Vertikales Leistungshalbleiterbauelement 3961 DE10331522A1 Reduzierung von Geistbildartefakten bei einem digitalen Detektor 3962 DE10329329A1 Kostengünstiges Hochfrequenz-Package 3963 DE69433582T2 Verfahren zur Bildung einer Halbleiteranordnung 3964 DE69731208T2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER INTEGRIERTEN SCHAL TUNGSANORDNUNG 3965 EP1495498 THERMOELEKTRISCHE EINRICHTUNG MIT DOPPELSEITIGEN PELTIER-ÜBERGÄNGEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELUNG DER EINRICHTUNG 3966 DE10345391B3 Verfahren zur Herstellung eines Multi-Chip-Moduls und Multi-Chip-Modul 3967 DE10334522A1 Flüssigphasenepitaktische Herstellung einer Halbleiteranordnung 3968 DE102004025413A1 Verfahren zum Ausbilden eines Kondensators und Kondensator 3969 DE69633363T2 Sensorelement 3970 DE69533365T2 SCHALTUNGSNETZWERK UND VERFAHREN FÜR ATOMISCHE KETTEN 3971 DE10352641A1 Charge-Trapping-Speicherzelle und Herstellungsverfahren 3972 DE10306076B4 Quantenpunkt aus elektrisch leitendem Kohlenstoff, Verfahren zur Herstellung und Anwendung 3973 DE102004024643A1 Werkstückteilungsverfahren unter Verwendung eines Laserstrahls 3974 EP1494268 SiC Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung 3975 DE202004011863U1 PV-Solarstation 3976 DE69728113T2 NEGATIVER WIDERSTAND DES MOLEKULARDISPERSIONSTYPS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 3977 EP1493189 QUANTEN-PHASENLADUNGSGEKOPPELTE EINRICHTUNG 3978 DE69434049T2 Keramisches Substrat und Verfahren zu dessen Herstellung 3979 DE102004029094A1 Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterchips 3980 DE102004029091A1 Unterteilungsvorrichtung für plattenartiges Werkstück 3981 DE102004029023A1 Leistungshalbleitermodul mit einem Detektor zum Erfassen eines durch ein Leistungshalbleiterbauteil fliessenden Schaltungshauptstroms 3982 DE69915903T2 Gehäuse für Halbleiterbauelemente und Halbleitermodul, das das Gehäuse verwendet 3983 DE102004028991A1 Dünnschichttransistorarray-Substrat und Herstellungsverfahren für ein solches 3984 DE10392426T5 Halbleitervorrichtungs-Herstellungsverfahren und Beschleunigungssensor 3985 DE102004023309A1 Kaskadierte Diodenstruktur mit tiefer n-Wanne und Verfahren zum Herstellen derselben 3986 DE10332826A1 Manipulation der magnetischen Eigenschaften von Halbleitern und magnetoelektronische Bauelemente 3987 DE69504557T3 Verfahren zum Herstellen eines supraleitenden Hochtemperaturdrahtes 3988 DE102004025707A1 Verfahren zum Teilen eines nicht-metallischen Substrats 3989 DE69730625T2 Feldeffekttransistor und Verfahren zu dessen Herstellung 3990 DE19840866B4 Verfahren zur Dotierung der externen Basisanschlußgebiete von Si-basierten Einfach-Polysilizium-npn-Bipolartransistoren 3991 EP1492171 DOPPELOXID MIT THERMOELEKTRISCHEN EIGENSCHAFTEN DES N-TYPS 3992 DE10330684A1 Sensor zur Temperaturänderungs- oder Infrarot-Detektion 3993 DE202004011399U1 Chip-Modul 3994 DE102004029093A1 Halbleiterwafer-Unterteilungsverfahren unter Verwendung eines Laserstrahls 3995 EP1488461 HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINEM RETROGRADUIERTEN DOTIERUNGSSTOFFPROFIL IN EINER KANALREGION UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 3996 DE102004027152A1 Flüssigkristallanzeigevorrichtung, welche Dünnschichttransistoren mit polykristallinem Silizium aufweist, und Verfahren zum Herstellen derselben 3997 EP1489654 EINKRISTALLIGER LnCuO(S, Se, Te)-DÜNNFILM, VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG UND OPTISCHE EINRICHTUNG ODER ELEKTRONISCHE EINRICHTUNG MIT DEM EINKRISTALLIGEN DÜNNFILM 3998 EP1488460 DOTIERTE NITRIDMATERIALIEN DER GRUPPE III-V UND MIKROELEKTRONISCHE BAUELEMENTE UND BAUELEMENTEVORSTUFENSTRUKTUREN DAMIT 3999 DE10297349T5 Halbleiterstruktur mit verbesserten geringeren Durchlassspannungsverlusten und höherer Sperrfähigkeit 4000 DE69730073T2 Doppelheteroübergang-Feldeffekttransistor |< << 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40  >> >|

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