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Infineon Technologies AG, 81669 München, DE; - Patente
 
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No Patent No Titel
1 DE10238843B8 Halbleiterbauelement
2 DE102005052005B4 Prozessor-Anordnung
3 DE102006019424A1 Herstellungsverfahren für eine integrierte Halbleiterkontaktstruktur mit einer verbesserten Aluminiumfüllung
4 DE69933726T2 Verfahren und Apparat für verbesserte Inspektionsmessungen
5 DE102005035154B4 MRAM mit vertikalem Speicherelement in Zweischichten-Anordnung und Feldsensor
6 DE69835631T2 Bestimmung einer Pipelinespeicherstufe durch Erzeugung eines verzögerten Adressenübergangsabfühlimpulses
7 DE102006009236A1 Vorrichtung und Verfahren zur temperaturunterbrechenden Absicherung eines elektrischen Bauelements
8 DE10238843B4 Halbleiterbauelement
9 DE102005061821A1 Verfahren zum Steuern einer Dicke einer ersten Schicht und Verfahren zum Anpassen der Dicke unterschiedlicher erster Schichten
10 DE102006010506B3 Speicher-Schaltkreis-Anordnung und Verfahren zum Lesen und/oder Verifizieren des Zustands von Speicherzellen eines Speicherzellen-Arrays
11 DE102006006792B3 Speicher und Verfahren zum Auslesen von Daten
12 DE102005052005A1 Prozessor-Anordnung
13 DE102005046777A1 High-Density-Hoch-Strom-Einrichtungs-Zelle
14 DE102005046774A1 Gemeinsame Masse-Kontakt-Isolations-Struktur für High-Density-Magneto-resistive RAM
15 DE10310779B4 Integrierte Speicherschaltung mit erhöhter Zuverlässigkeit
16 DE102005041452A1 Dreidimensional integrierte elektronische Baugruppe
17 DE102005041451A1 Elektronische Steckeinheit
18 DE102005035383A1 Prozessorelement, Verfahren zum Initialisieren eines Prozessorelements und Prozessor-Anordnung
19 DE10259088B4 Resonanzkonverter mit Spannungsregelung und Verfahren zum Treiben von veränderlichen Lasten
20 DE102005010338B4 Kraftsensoranordnung mit magnetostriktiven Magnetowiderstandssensoren und Verfahren zur Ermittlung einer auf den Träger einer Kraftsensoranordnung wirkenden Kraft
21 DE102005030661B4 Nichtflüchtiges Halbleiterspeicherbauelement und Verfahren zum Betreiben und Herstellen eines nichtflüchtigen Halbleiterspeicherbauelementes
22 EP1726093 DUPLEXER AUF DER BASIS EINES GEKOPPELTEN BAW-RESONATORS
23 DE102005027697A1 EUV-Reflexionsmaske und Verfahren zu deren Herstellung
24 DE102006023170A1 Ausbilden von Via-Kontakten in MRAM-Zellen
25 DE102005030660B3 Erfassungsverfahren für eine nichtflüchtige Halbleiterspeicherzelle
26 DE10314615B4 Verstärker mit verringertem Leistungsverbrauch
27 DE60305208T2 STROMGESTEUERTER LESERVERSTÄRKER
28 DE102006022845A1 Ansteuerschaltung für eine Schaltereinheit einer getakteten Leistungsversorgungsschaltung und Resonanzkonverter
29 DE102006021818A1 Verfahren zum Ausbilden magnetoresistiver Übergänge beim Herstellen von MRAM-Zellen
30 DE102005030661A1 Nichtflüchtiges Halbleiterspeicherbauelement und Verfahren zum Betreiben und Herstellen eines nichtflüchtigen Halbleiterspeicherbauelementes
31 DE102005024321A1 Absicherungsschaltung
32 DE102005024346A1 Sicherungselement mit Auslöseunterstützung
33 DE102005024347A1 Elektrisches Bauteil mit abgesichertem Stromzuführungsanschluss
34 DE102006023195A1 MRAM-Zelle mit gespaltenen Leiterbahnen
35 DE102006016516A1 Speicher mit Abdeckungsstruktur für einen magnetoresistiven Übergang und Verfahren zu dessen Herstellung
36 DE102006015971A1 Speicherelement mit adiabatischer Drehumschaltung und ferromagnetischer Entkopplungsschicht
37 DE102005020427A1 Verfahren und Gießformwerkzeug zur Herstellung einer Schutzschicht an integrierten Bauelementen
38 DE102005009390B3 Kraftsensor, Verfahren zur Ermittlung einer auf einen Kraftsensor wirkenden Kraft mittels eines Mehrschichtsystems aus magnetischen Schichten
39 DE102006008264A1 MRAM Zelle mit Domänenwandumschaltung und Feldauswahl
40 DE102005010338A1 Kraftsensoranordnung mit magnetostriktiven Magnetowiderstandssensoren und Verfahren zur Ermittlung einer auf den Träger einer Kraftsensoranordnung wirkenden Kraft
41 DE102006001108A1 Magnetoresistives Speicherelement mit Stapelstruktur
42 DE60115504T2 FILTEREINRICHTUNG
43 DE69833093T2 Schwebende Bitleitungen Prüfmodus mit digital steuerbaren Bitleitungen-Abgleichschaltungen
44 DE60115745T2 Halbleiterspeicheranordnung
45 DE102006001117A1 Verfahren und Apparat für Strom-Erfass-Verstärker-Kalibrierung in MRAM-Einrichtungen
46 DE102006001107A1 Verfahren zum Herstellen von MRAM-Zellen
47 DE60114401T2 VERFAHREN UND SYSTEM ZUR KALIBRIERUNG EINER ELEKTRISCHEN MESSUNG DER LINIENBREITE UND IN DEM VERFAHREN GENUTZTER WAFER
48 DE102006001857A1 Verbesserter DDR-II-DRAM Datenweg
49 DE112004001438T5 Herstellungsverfahren für einen FeRAM-Kondensator und ein durch das Verfahren ausgebildeter FeRAM-Kondensator
50 DE102005062769A1 Hybrid-Speicherzelle für durch spinpolarisierten Elektronenstrom induziertes Schalten und Schreib/Leseprozess, der eine derartige Speicherzelle verwendet
51 DE102005055437A1 MRAM mit schaltbarer ferromagnetischer Offset-Schicht
52 DE112004001585T5 Zaunfreies Ätzen einer Iridium-Barriere mit einem steilen Böschungswinkel
53 DE112004000745T5 Aufbau und Verfahren zum Bilden eines Feldeffekttransistors mit gekerbtem Gate
54 DE102005055436A1 MRAM mit Spule zum Erzeugen eines Offsetfeldes
55 DE102005055836A1 Leistungstestplatte
56 DE112004000665T5 Prozess zur Herstellung eines Ferrokondensators
57 DE102005035166A1 MRAM mit magnetischem Via zur Speicherung von Information und Feldsensor
58 EP1631964 FERROELEKTRISCHER SPEICHERBAUSTEIN
59 DE102004047661A1 Verfahren zum Projizieren von Muster auf ein Halbleitersubstrat
60 DE102005040840A1 Assoziativspeicherzelle mit resistiven Speicherelementen
61 DE102005046425A1 Array resistiver Speicherzellen und Verfahren zum Erfassen von Widerstandswerten solcher Zellen
62 DE102005046426A1 MRAM und Verfahren zu dessen Herstellung
63 DE102004047273A1 Elektrisch leitfähiger Resist für die Fotomaskenherstellung
64 DE102005034665A1 Ferromagnetische Liner für Leiterbahnen von magnetischen Speicherzellen und Verfahren zum Herstellen derselben
65 DE102005036073A1 Ferromagnetische Liner für Leiterbahnen von magnetischen Speicherzellen
66 DE102005035152A1 MRAM und Verfahren zu dessen Herstellung
67 DE102005035154A1 MRAM mit vertikalem Speicherelement in Zweischichten-Anordnung und Feldsensor
68 DE102005035165A1 Magnetischer Speicher mit statischem magnetischen Verschiebungsfeld
69 DE69923097T2 Dreizustandspuffer
70 DE102005035164A1 MRAM mit vertikalem Speicherelement und Feldsensor
71 DE102005032979A1 Strukturieren eines magnetischen Tunnelübergang-Elements unter Verwendung von Nassätzen einer freien Schicht und unter Verwendung von Lift-Off-Techniken
72 DE60110297T2 Speichervorrichtung mit elektrisch programmierbaren Sicherungen
73 DE69830141T2 Grabenätzen mittels Borosilikatglas-Maske
74 EP1137010 Halbleiterspeicheranordnung
75 EP1371135 FILTEREINRICHTUNG
76 DE69920967T2 VERFAHREN ZUR CVD UNTER VERWENDUNG VON BI-ALKOXIDEN
77 DE102005008279A1 CDR-basierte Taktsynthese
78 DE60106256T2 DYNAMISCHE HALBLEITERSPEICHERANORDNUNG MIT WAHLFREIEM ZUGRIFF
79 DE102004005385A1 Verwendung von gelösten Hafniumalkoxiden bzw. Zirkoniumalkoxiden als Precursoren für Hafniumoxid- und Hafniumoxynitridschichten bzw. Zirkoniumoxid- und Zirkoniumoxynitridschichten
80 EP1570487 ARCHITEKTUR FÜR HOCHGESCHWINDIGKEITSSPEICHERN
81 DE10393791T5 Verringern der Auswirkungen von Rauschkopplung in integrierten Schaltungen mit Speicherfeldern
82 DE10345385B4 Entschlüsselung bzw. Verschlüsselung bei Schreibzugriffen auf einen Speicher
83 DE10127217B4 Verfahren zur Herstellung lagegenauer großflächiger Membranmasken
84 DE102004009087A1 Verfahren zum Einstellen der Durchbruchspannung eines Thyristors
85 DE10138882B4 Großflächige Membranmaske und Verfahren zu ihrer Herstellung
86 EP1556864 STRUKTURIERUNG VON METALLSTAPELSCHICHTEN EINER MAGNETSCHALTEINRICHTUNG DURCH VERWENDUNG EINER ZWEISCHICHT-METALLHARTMASKE
87 DE102004063497A1 Magnetische Schichten mit gekreuzten Anisotropien
88 EP1547092 KETTENSPEICHERARCHITEKTUR
89 EP1547093 MESSTESTSCHALTUNG
90 EP1547245 FILTERSCHALTUNG
91 EP1535284 REFERENZSPANNUNGSERZEUGUNG FÜR SPEICHERSCHALTUNGEN
92 DE60011471T2 LADUNGSPUMPENSYSTEM MIT MEHREREN UNABHÄNGIG AKTIVIERTEN LADUNGSPUMPEN UND VERFAHREN
93 DE10345385A1 Entschlüsselung bzw. Verschlüsselung bei Schreibzugriffen auf einen Speicher
94 DE69915844T2 SKALIERTE IMPEDANZREPLIKA FÜR ECHO-DÄMPFUNG IN DIGITALEN ÜBERTRAGUNGSSYSTEMEN
95 DE69822612T2 VERFAHREN ZUR CVD BEI NIEDRIGEN TEMPERATUREN UNTER VERWENDUNG VON BI-AMIDEN
96 DE102004017411A1 In-situ-Metallbarriereablagerung für Sputterätzen auf einer Verbindungsstruktur
97 DE102004034822A1 MRAM und Verfahren zu dessen Herstellung
98 DE69822280T2 Halbleiterspeicher
99 DE69822775T2 Betriebsverfahren für dynamischen Direktzugriffspeicher
100 DE69823174T2 VERFAHREN ZUR CVD BEI NIEDRIGEN TEMPERATUREN UNTER VERWENDUNG VON BI-CARBOXYLATEN
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