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No Patent No Titel
1 DE112005001822T5 Verfahren zum Herstellen eines Halbleitersubstrats und Halbleitersubstrat
2 DE112005001447T5 Doppelseitenpolierträger und Herstellungsverfahren desselben
3 DE112005001550T5 Verfahren und Vorrichtung zur Sammlung von Chemikalien von einer Halbleiterscheibe
4 DE112005000397T5 Verfahren zum Herstellen von Einkristall-Halbleitern
5 DE112005000350T5 Verfahren zum Herstellen eines Einkristall-Halbleiters
6 DE112005000300T5 Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Einkristall-Halbleitern
7 DE112004001425T5 Verfahren und Vorrichtung zum Ätzen von scheibenförmigen Teilen
8 DE112004001947T5 Vorrichtung zum Herstellen eines Einkristallhalbleiters
9 DE112004000527T5 Halbleiter-Epitaxial-Wafer
10 DE10393635T5 Verfahren zur Herstellung eines Siliziumwafers
11 DE10392918T5 Verfahren zur Herstellung eines Einkristallhalbleiters und Vorrichtung zur Herstellung eines Einkristallhalbleiters
12 EP1324022 VORRICHTUNG ZUR UNTERSUCHUNG DER WAFER-OBERFLÄCHE, VERFAHREN ZUR UNTERSUCHUNG DER WAFER-OBERFLÄCHE, VORRICHTUNG ZUR BEURTEILUNG EINES DEFEKTEN WAFERS, VERFAHREN ZUR BEURTEILUNG EINES DEFEKTEN WAFERS UND VORRICHTUNG ZUR VERARBEITUNG VON INFORMATIONEN BEZÜGLICH DER WAFER-OBERFLÄCHE
13 EP1279752 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR MESSUNG DER SCHMELZENHÖHE
14 EP1162291 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM ERFASSEN DES SCHMELZLEVELS
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IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

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