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1 DE102006030225A1 Verfahren zum Herstellen eines Trench-Transistors
2 DE102006029750A1 Trenchtransistor
3 DE102006026943A1 Mittels Feldeffekt steuerbarer Trench-Transistor mit zwei Steuerelektroden
4 DE102006025218A1 Leistungshalbleiterbauelement mit Ladungskompensationsstruktur und Verfahren zur Herstellung desselben
5 DE102006034678B3 Leistungshalbleiterbauelement mit Ladungskompensationsstruktur und Verfahren zur Herstellung desselben
6 DE102006002065B4 Kompensationsbauelement mit reduziertem und einstellbarem Einschaltwiderstand
7 DE102006024504A1 Leistungshalbleiterbauelement mit vertikaler Gatezone und Verfahren zur Herstellung desselben
8 DE102006022587B3 Lateraler SOI-Transistor
9 DE102006021362A1 Laterales SOI-Halbleiterbauteil
10 DE102006023598B3 Halbleiterbauteil
11 DE102006017239A1 Differentieller Levelshifter mit automatischem Fehlerabgleich
12 DE102005061263B4 Halbleiterwafersubstrat für Leistungshalbleiterbauelemente sowie Verfahren zur Herstellung desselben
13 DE102006014580A1 Randabschluss für vertikales Hochvolt-Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung für einen IGBT
14 DE102005058435B4 Halbleiterbauelement mit einem Channelstopper und Verfahren zur Erzeugung eines Channelstoppers
15 DE102006007052B3 Erzeugung von Halbleiterzonen mit steilem Dotierprofil
16 DE102006011697A1 Integrierte Halbleiterbauelementeanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
17 DE102006011567A1 Randabschlussstruktur für Halbleiterbauelemente mit Driftstrecke
18 DE102006004405A1 Leistungshalbleiterbauelement mit einer Driftstrecke und einer hochdielektrischen Kompensationszone und Verfahren zur Herstellung einer Kompensationszone
19 DE102006006700A1 Halbleiterbauelement insbesondere Leistungshalbleiterbauelement mit Ladungsträgerrekombinationszonen und Verfahren zur Herstellung desselben
20 DE102006007053A1 Optimierte Isolationsstruktur und Verfahren zu deren Herstellung
21 DE102006003930A1 Leistungshalbleiterelement mit internen Bonddrahtverbindungen zu einem Bauelementsubstrat und Verfahren zur Herstellung desselben
22 DE102006002903A1 Verfahren zur Behandlung eines Sauerstoff enthaltenden Halbleiterwafers und Halbleiterbauelement
23 DE102006002065A1 Kompensationsbauelement mit reduziertem und einstellbarem Einschaltwiderstand
24 DE102005061820A1 Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle und Solarzelle
25 DE102005061210A1 Halbleiterbauelement mit einem vorderseitigen und einem rückseitigen PN-Übergang
26 DE102005061294A1 Kompensationszone für NPT-Halbleiterbauelemente
27 DE102005061263A1 Halbleiterwafersubstrat für Leistungshalbleiterbauelemente sowie Verfahren zur Herstellung desselben
28 DE202007001431U1 Halbleiteranordnung und Leistungshalbleiterbauelement
29 DE102005058435A1 Halbleiterbauelement mit einem Channelstopper und Verfahren zur Erzeugung eines Channelstoppers
30 DE102005057765A1 Schaltungsanordnung mit einem Leistungstransistor und einer Überspannungsschutzschaltung
31 DE102005056426A1 Halbleiterbauelement, insbesondere selbstklemmender IGBT, und Verfahren zu dessen Herstellung
32 DE102005039666B3 Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterstruktur mit selektiven Dotierstoffbereichen
33 DE102005054552A1 Vorrichtung und Verfahren zur Prüfung von Halbleitersubstraten auf Risse
34 DE102006001922B3 Lateraler Leistungstransistor und Verfahren zu dessen Herstellung
35 DE102006045126A1 Verfahren zur Herstellung einer Anschlusselektrode für zwei übereinander angeordnete Halbleiterzonen
36 DE102006004627B3 Leistungshalbleiterbauelement mit Ladungskompensationsstruktur und Verfahren zur Herstellung desselben
37 DE102005046757A1 Leistungshalbleiterbauelement mit einer IGBT-Struktur und einer Freilaufstruktur
38 DE102005047055A1 Ansteuerschaltung mit einem Transformator für ein Halbleiterschaltelement
39 DE102005046479A1 Verfahren zum Spalten von spröden Materialien mittels Trenching Technologie
40 DE102005038660A1 Verfahren zur Ansteuerschaltung eines Schalters in einem Schaltwandler und Ansteuerschaltung
41 DE102005035648A1 Hochleistungsbauelement und ein Verfahren zu dessen Herstellung
42 DE102004056772B4 Laterale Halbleiterbauelemente mit hoher Spannungsfestigkeit und Verfahren zur Herstellung derselben
43 DE102005030150B3 Schaltungsanordnung zur Ansteuerung einer Last mit einer Funktionalität zur Detektion einer Lastunterbrechung
44 DE102005020615A1 Signalübertragungsanordnung mit einem Transformator und einer Empfängerschaltung
45 DE102005020091A1 Integrierte Halbleiterbauelementeanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
46 DE102005012117A1 Transistorbauelement
47 DE102005010337A1 Bauelementanordnung mit einem Transistor und einem Lastunterbrechungsdetektor
48 DE102005009020A1 Verfahren zur Erzeugung einer vergrabenen Halbleiterschicht
49 DE102004059123A1 Vorrichtung und Verfahren zum Dünnen von Substraten oder von Schichten
50 DE102004056772A1 Laterale Halbleiterbauelemente mit hoher Spannungsfestigkeit und Verfahren zur Herstellung derselben
51 DE102005007599B3 Verfahren zur Herstellung einer Feldstoppzone
52 DE102004047749A1 Halbleiterbauteil sowie dafür geeignetes Herstellungsverfahren
53 DE102004038353A1 Ansteuerschaltung für einen Schalter in einem Schaltwandler und Schaltungsanordnung mit einem Schaltwandler und einer Last
54 DE102004039209A1 Verfahren zur Herstellung einer n-dotierten Feldstoppzone in einem Halbleiterkörper und Halbleiterbauelement mit einer Feldstoppzone
55 DE202005018066U1 Reinigungsvorrichtung
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